摘要：为使磁场在氢脉泽储存泡处的影响降到最小，对一种新型氢脉泽进行了磁屏蔽设计。给出了该新型氢脉泽磁屏蔽的相关理论计算、设计，包括对屏蔽体缝孔的设计考虑，通过仿真和实验验证了该磁屏蔽设计的可行性。

关 键 词：磁屏蔽；氢脉泽；磁导率

中图分类号：TM935.115；TH714.1+4

文献标识码：A　　　　 　　　　 文章编号：1674-0637(2010)01-0054-08